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5G 時代下 MEMS 光開關(guān)中靜電驅(qū)動四大結(jié)構(gòu)(懸臂梁、扭臂、梳狀、SDA)的詳解及廣西科毅光通信產(chǎn)品應(yīng)用對比
閱讀更多MEMS光開關(guān)陣列的設(shè)計與應(yīng)用
閱讀更多MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))可調(diào)光衰減器中的波長相關(guān)損耗(WDL)優(yōu)化是一個重要的技術(shù)挑戰(zhàn)。
閱讀更多文章介紹了磁光開關(guān)的性能,探討了磁光開關(guān)的未來競爭力和發(fā)展前景;介紹了設(shè)計磁光開關(guān)的三種方法以及具體的電路磁路設(shè)計,并對其設(shè)計方案進(jìn)行了綜合的測試。結(jié)果表明,磁光開關(guān)不僅具有開關(guān)速度快、穩(wěn)定性高等優(yōu)勢,而且相對于其他非機(jī)械式光開關(guān),它又具有驅(qū)動電壓低、串?dāng)_小等優(yōu)勢。磁光開關(guān)將成為一種極具競爭力的光開關(guān)。
閱讀更多該光開關(guān)包括:N到N的無阻塞交換矩陣,所述無阻塞交換矩陣包括NMM個節(jié)點(diǎn),每個節(jié)點(diǎn)包括用于進(jìn)行二進(jìn)二出的光路交換的四個數(shù)字光開關(guān)單元,每個數(shù)字光開關(guān)單元具有兩種狀態(tài):所述無阻塞交換矩陣的NMM個節(jié)點(diǎn)中包括N個輸入端和N個輸出端;所述無阻塞交換矩陣,用于從N個輸入端接收N個輸入光纖輸入的個輸入光信號:經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的M級節(jié)點(diǎn)的路由,將N個輸入光信號交換到N個輸出端上;從N個輸出端將經(jīng)過無阻塞交換矩陣交換后得到的N個輸出光信號耦合到N個輸出光纖上。本發(fā)明光開關(guān)易于實(shí)現(xiàn)對節(jié)點(diǎn)的控制,適合大規(guī)模應(yīng)用。
閱讀更多光分路器基本常識介紹,包括分光原理、常用技術(shù)指標(biāo)(插入損耗、附加損耗、分光比、隔離度等)及穩(wěn)定性;用全波段測試法優(yōu)化光器件性能,包括不同光器件在全波段下的測試需求及折衷測試方案;PLC 分路器相關(guān)技術(shù),包括制作、優(yōu)缺點(diǎn)及封裝技術(shù)。
閱讀更多極端溫度環(huán)境會導(dǎo)致傳統(tǒng)光開關(guān)膠層收縮/膨脹,引發(fā)插入損耗漂移。科毅通過鈦合金封裝殼體(CTE=8.6ppm/℃)與石英基片(CTE=0.5ppm/℃)的梯度匹配設(shè)計,結(jié)合金屬化鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)-55~125℃寬溫工作。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示,產(chǎn)品在100次溫度循環(huán)(-55℃↔125℃)后,插入損耗變化≤0.25dB,回波損耗≥50dB。該技術(shù)已用于南極昆侖站光通信系統(tǒng),在-80℃低溫與90%濕度環(huán)境下,連續(xù)工作12個月無故障,較傳統(tǒng)設(shè)備故障率降低90%,驗(yàn)證了在極端氣候條件下的可靠性優(yōu)勢。
閱讀更多無膠光路技術(shù)通過光路無膠設(shè)計實(shí)現(xiàn)光開關(guān)的低偏振相關(guān)損耗(PDL),其 PDL 值可低至 ≤0.05 dB,同時具備低插入損耗、高穩(wěn)定性和可靠性等優(yōu)勢。該技術(shù)在光學(xué)相干斷層掃描(OCT)系統(tǒng)中具有重要應(yīng)用價值,OCT 作為非侵入性生物醫(yī)學(xué)成像技術(shù),軸向分辨率通??蛇_(dá) 1 μm 至 10 μm,受光源波長和系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計影響。無膠光路光開關(guān)可廣泛應(yīng)用于城域網(wǎng)、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)、監(jiān)控系統(tǒng)及動態(tài)配置分發(fā)復(fù)用等領(lǐng)域,為高精度光學(xué)系統(tǒng)提供關(guān)鍵組件支持。
閱讀更多SiP集成光開關(guān)面臨熱串?dāng)_問題,科毅采用微流道散熱與SOI襯底隔離,熱串?dāng)_<0.5℃,已用于800G光模塊測試系統(tǒng)。
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